扩展位错

扩展位错是晶体材料中的一种线缺陷，它涉及一个全位错分解为两个或多个不全位错，这些不全位错之间以层错带相联。扩展位错的存在是因为扩展后的结构能量低于扩展前的全位错，因此它是一种更稳定的状态。

以下是扩展位错的一些关键特性：

1. 位错分解 ：全位错分解为不全位错，这些不全位错通过层错带相连。

2. 能量优势 ：扩展位错比未扩展的全位错能量更低，因此是更稳定的状态。

3. 结构特点 ：在面心立方（FCC）结构中，扩展位错通常涉及（111）面上的位错滑移，并且伯格斯矢量（b）为1/2。

4. 交滑移机制 ：扩展位错可以通过束集（compaction）形成全螺位错，然后进行交滑移到其他滑移面，再重新扩展。

5. 内耗峰 ：扩展位错运动可以导致相对运动内耗峰和整体运动内耗峰，这两种内耗峰的峰温相近，实验上观察到的内耗峰是它们的叠加。

6. 层错能影响 ：扩展位错容易在高层错能的金属中发生交滑移，而在低层错能的金属中则较难看到。

扩展位错的研究对于理解材料的塑性变形、强化机制以及内耗现象具有重要意义。

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